RAM
مبانی حافظههای RAM
قسمت دوم
حافظۀ RAM، یک تراشۀ مدار مجتمع
(IC) بوده که از میلیونها ترانزیستور و خازن تشکیل شده است. در اغلب حافظهها با استفاده و بهکارگیری یک خازن و یک ترانزیستور میتوان یک سلول را ایجاد کرد. سلول فوق قادر به نگهداری یک بیت داده خواهد بود. خازن، اطلاعات مربوط به بیت را که یک یا صفر است، درخود نگهداری خواهد کرد. عملکرد ترانزیستور مشابه یک سوییچ است که امکان کنترل مدارات موجود بر روی تراشه حافظه را به منظور خواندن مقدار ذخیره شده در خازن یا تغییر وضعیت مربوط به آن، فراهم میکند. خازن مشابه یک ظرف (سطل) است که قادر به نگهداری الکترونها است.
به منظور ذخیره سازی مقدار «یک» در حافظه، ظرف فوق میبایست از الکترونها پر شود. برای ذخیره سازی مقدار صفر، میبایست ظرف فوق خالی شود. مسئلۀ مهم در رابطه با خازن، نشت اطلاعات است (وجود سوراخ در ظرف) بدین ترتیب پس ازگذشت چندین
میلی ثانیه یک ظرف مملو از الکترون تخلیه میشود. بنابراین به منظور اینکه حافظه به صورت پویا اطلاعات خود را نگهداری کند، میبایست پردازنده یا «کنترل کنندۀ حافظه» قبل از تخلیه شدن خازن، مکلف به شارژ مجدد آن به منظور نگهداری مقدار «یک» باشند. بدین منظور کنترل کننده حافظه اطلاعات حافظه را خوانده
و مجدداً اطلاعات را بازنویسی میکند. عملیات فوق (Refresh)، هزاران مرتبه در یک ثانیه تکرار خواهد
شد. علت نامگذاری DRAM بدین دلیل است که این
نوع حافظهها مجبور به بازخوانی اطلاعات به صورت
پویا خواهند بود. فرآیند تکراری «بازخوانی / بازنویسی اطلاعات» در این نوع حافظهها باعث میشود که زمان تلف و سرعت حافظه کند شود.
سلولهای حافظه روی یک تراشۀ سیلیکون و به
صورت آرایهای مشتمل از ستونها (خطوط بیت) و سطرها (خطوط کلمات) تشکیل میشوند. نقطۀ تلاقی
یک سطر و ستون بیانگر آدرس سلول حافظه است.
اولین موس ساخت بشر
سروش مسعودی. @gmail. soroush masoudi com
مجلات دوست نوجوانانمجله نوجوان 118صفحه 32