مجله نوجوان 119 صفحه 32
نسخه چاپی | ارسال به دوستان
برو به صفحه: برو

مترجم : زهرا سادات موسوی محسنی

ویراستار : سپیده اسلامی

ناشر مجله : موسسه چاپ و نشر عروج

نویسنده : افشین علاء، محسن وطنی

موضوع : نوجوان

مجله نوجوان 119 صفحه 32

مبانی حافظه­های RAM قسمت 3 .اعلام خبر به یک سلول که باید شارژ شود یا ضرورتی به شارژ وجود ندارد. (Write enable) سایر عملیات مربوط به «کنترل کنندۀ حافظه» شامل مواردی نظیر مشخص کردن نوع سرعت، میزان حافظه و بررسی خطا است. حافظه­های SRAM دارای یک تکنولوژی کاملاً متفاوت هستند. در این نوع از حافظه­ها از فلیپ فلاپ برای ذخیره سازی هر بیت حافظه استفاده می­شود. یک فلیپ فلاپ برای یک سلول حافظه، از چهار تا شش ترانزیستور استفاده می­کند. حافظه­های SRAM نیازمند بازخوانی/ بازنویسی اطلاعات نخواهند بود،بنابراین سرعت این نوع از حافظه­ها به مراتب از حافظه­های DRAM بیشتر است. با توجه به اینکه حافظه­های SRAM از بخش­های متعددی تشکیل می­شود، فضای استفاده شدۀ آنها بر روی یک تراشه به مراتب بیشتر از یک سلول حافظه از نوع DRAM خواهد بود. در چنین مواردی میزان حافظه بر روی یک تراشه کاهش پیدا کرده و همین امر می­تواند باعث افزایش قیمت این نوع از حافظه­ها شود. بنابراین حافظه­های SRAM سریع و گران و حافظه­های DRAM ارزان و کند هستند. با توجه به موضوع فوق، از حافظه­های SRAM به منظور افزایش سرعت پردازنده (استفاده از Cache) و از حافظه­های DRAM برای فضای حافظۀ RAM در کامپیوتر استفاده می­شود. حافظه­های DRAM با ارسال یک شارژ به ستون مورد نظر باعث فعالیت شدن ترانزیستور در هر بیت ستون، خواهند شد. در زمان نوشتن خطوط سطر شامل وضعیتی خواهند شد که خازن باید به آن وضعیت تبدیل شود. در زمان خواندن Sense-amplifier ، سطح شارژ موجود در خازن را اندازه­گیری می­کند. در صورتی که سطح فوق بیش از پنجاه درصد باشد مقدار «یک» خوانده می­شود و در غیر اینصورت مقدار «صفر» خوانده خواهد شد. مدت زمان انجام عملیات فوق بسیار کوتاه است و برحسب نانوثانیه (یک میلیاردم ثانیه) اندازه­گیری می­شود. تراشه حافظه­ای که دارای سرعت 70 نانوثانیه است، 70 نانو ثانیه طول خواهد کشید تا عملیات خواندن و بازنویسی هر سلول را انجام دهد. سلول­های حافظه در صورتی که از روش­هایی به منظور اخذ اطلاعات موجود در سلول­ها استفاده نکنند، به تنهائی فاقد ارزش خواهند بود. بنابراین لازم است سلول­های حافظه دارای یک زیرساخت کامل حمایتی از مدارات خاص دیگر باشند. مدارات فوق عملیات زیر را انجام خواهند داد: . مشخص کردن هر سطر و ستون (انتخاب آدرس سطر و انتخاب آدرس ستون) . نگهداری وضعیت بازخوانی و باز نویسی داده­ها (شمارنده) . خواندن و برگرداندن سیگنال از یک سلول (Sense amplifier)

مجلات دوست نوجوانانمجله نوجوان 119صفحه 32